國(guó)內(nèi)高端存儲(chǔ)器領(lǐng)域傳來(lái)振奮人心的消息:兩家領(lǐng)先的存儲(chǔ)器制造商在HBM(高帶寬存儲(chǔ)器)技術(shù)研發(fā)上取得實(shí)質(zhì)性進(jìn)展,并明確設(shè)定了在2026年實(shí)現(xiàn)HBM2產(chǎn)品量產(chǎn)的目標(biāo)。這一進(jìn)展不僅標(biāo)志著我國(guó)在高端存儲(chǔ)芯片自主化道路上邁出了堅(jiān)實(shí)一步,更將為蓬勃發(fā)展的國(guó)內(nèi)人工智能(AI)應(yīng)用軟件開(kāi)發(fā)提供至關(guān)重要的底層硬件支撐,有望顯著降低AI算力成本并提升產(chǎn)業(yè)自主可控能力。
HBM是一種通過(guò)垂直堆疊多個(gè)DRAM芯片、并利用硅通孔(TSV)技術(shù)進(jìn)行高速互聯(lián)的先進(jìn)存儲(chǔ)器。其核心優(yōu)勢(shì)在于提供了遠(yuǎn)超傳統(tǒng)GDDR存儲(chǔ)器的超高帶寬和能效比,這對(duì)于處理海量數(shù)據(jù)的AI訓(xùn)練與推理、高性能計(jì)算(HPC)等應(yīng)用場(chǎng)景而言至關(guān)重要。目前,全球HBM市場(chǎng),尤其是面向AI的HBM3及后續(xù)版本,主要由少數(shù)國(guó)際巨頭主導(dǎo)。國(guó)內(nèi)廠(chǎng)商此次在HBM2領(lǐng)域的突破,是切入這一戰(zhàn)略高地的重要起點(diǎn)。
據(jù)悉,這兩家國(guó)內(nèi)制造商正從多個(gè)層面推進(jìn)HBM研發(fā)。在核心技術(shù)攻關(guān)上,聚焦于TSV工藝、微凸塊制造、熱管理以及底層DRAM芯片的高性能低功耗設(shè)計(jì)。這些是確保HBM高帶寬、高可靠性的技術(shù)基石。在產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同上,積極與國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的封測(cè)廠(chǎng)商、晶圓廠(chǎng)以及AI芯片設(shè)計(jì)公司合作,共同構(gòu)建從芯片設(shè)計(jì)、制造、封裝到系統(tǒng)集成的完整生態(tài)鏈。目標(biāo)2026年的量產(chǎn)計(jì)劃,正是基于當(dāng)前技術(shù)路線(xiàn)圖的穩(wěn)步推進(jìn)和產(chǎn)業(yè)鏈配套能力的逐步成熟。
HBM2的量產(chǎn)目標(biāo)對(duì)國(guó)內(nèi)人工智能應(yīng)用軟件的開(kāi)發(fā)具有深遠(yuǎn)意義。AI應(yīng)用,無(wú)論是大規(guī)模語(yǔ)言模型、計(jì)算機(jī)視覺(jué)、自動(dòng)駕駛還是科學(xué)計(jì)算,其性能瓶頸往往從“計(jì)算”轉(zhuǎn)向“存儲(chǔ)”和“數(shù)據(jù)搬運(yùn)”。國(guó)產(chǎn)HBM2的成功導(dǎo)入,將直接帶來(lái)兩方面利好:
從HBM2邁向更先進(jìn)的HBM3/4乃至定制化HBM產(chǎn)品,是國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)必須攀登的技術(shù)階梯。這需要持續(xù)的高強(qiáng)度研發(fā)投入、更緊密的產(chǎn)學(xué)研用結(jié)合,以及下游AI芯片與系統(tǒng)廠(chǎng)商的積極驗(yàn)證和采用。軟件生態(tài)的適配也至關(guān)重要,包括驅(qū)動(dòng)程序、開(kāi)發(fā)工具鏈以及AI框架(如PyTorch, TensorFlow)的深度優(yōu)化,以充分發(fā)揮國(guó)產(chǎn)HBM的硬件潛能。
兩家存儲(chǔ)器制造商在HBM領(lǐng)域的跟進(jìn)與量產(chǎn)目標(biāo)設(shè)定,是中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)向高端突破的一個(gè)縮影。它預(yù)示著,隨著底層存儲(chǔ)瓶頸的逐步緩解,一個(gè)由國(guó)產(chǎn)硬件支撐、更加繁榮和自主的AI應(yīng)用軟件創(chuàng)新生態(tài),正加速向我們走來(lái)。2026年,或?qū)⒊蔀橐?jiàn)證這一關(guān)鍵轉(zhuǎn)變的重要時(shí)間節(jié)點(diǎn)。
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更新時(shí)間:2026-01-09 13:01:28
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